-
1 диффузия коллектора
( процесс изготовления транзистора) Kollektordiffusion -
2 диффузия эмиттера
( процесс изготовления транзистора) Emitterdiffusion -
3 диффузия
диффузия ж. Auslaugen n; Austausch m; хим. Austauschen n; физ. хим. Diffusion f; Eindiffundieren n; Streuung fдиффузия ж. растекания (жидкого металла по поверхности твёрдого металла) мет. Ausbreitungsdiffusion fдиффузия ж. через пористую перегородку Diffusion f durch poröse Scheidewand; Porendiffusion f; Trennwanddiffusion f -
4 диффузия базы
n1) eng. Basisdiffusion (процесс изготовления транзистора), Diffusion des Basisübergangs2) microel. (для формирования) Basisdiffusion -
5 диффузия коллектора
n2) microel. (для формирования) Kollektordiffusion -
6 диффузия эмиттера
n1) eng. Diffusion des Emitterübergangs, Emitterdiffusion (процесс изготовления транзистора)2) microel. (для формирования) Emitterdiffusion
См. также в других словарях:
Технологический процесс в электронной промышленности — Кристаллический кремний … Википедия
ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… … Энциклопедия Кольера
Изобретение интегральной схемы — Основная статья: Интегральная схема Идею интеграции множества стандартных электронных компонентов в монолитном кристалле полупроводника впервые предложил в 1952 году британский радиотехник Джеффри Даммер[en]. Год спустя Харвик Джонсон подал… … Википедия
ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА — (ИС), микроэлектронная схема, сформированная на крошечной пластинке (кристаллике, или чипе ) полупроводникового материала, обычно кремния, которая используется для управления электрическим током и его усиления. Типичная ИС состоит из множества… … Энциклопедия Кольера
Кремний на изоляторе — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний д … Википедия
Хронология изобретений человечества — Эта статья или раздел нуждается в переработке. Пожалуйста, улучшите статью в соответствии с правилами написания статей … Википедия
SOI — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
Silicon on insulator — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
КНИ — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
Кремний на сапфире — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
Планарная технология — планарный процесс (англ. planar, от лат. planus плоский, ровный), первоначально совокупность технологических операций, проводимых для получения полупроводниковых (ПП) приборов с электронно дырочными переходами (См. Электронно дырочный… … Большая советская энциклопедия
